台大研发「零缺陷」半导体材料成果发表

台大今早公佈跨国研究团队近期在「科学」《Science》发表的一项重大成果，「研发独步全球零缺陷半导体材料，提升LED 发光效能100倍。」台大表示，研究发现半导体「修復缺陷」的简单方法，让单层二维半导体材料达到「零缺陷」的等级，将可提升LED发光效能100倍。半导体材料越薄，对电子、光电元件的效能越有影响，这种原子等级厚度的零缺陷材料可说是前所未闻，震撼科学界。

此一跨国研究团队是由加州大学柏克莱分校教授Ali Javey、阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）教授何志浩，台大教授李嗣涔共同组成，特别是此研究的共同第一作者连德轩同学今年刚完成博士口试，将于这学期毕业，目前已在加州柏克莱大学执行科技部第二年的龙门计画。

(图/取自网路)

台大跨国研究团队表示，二维半导体材料具特殊的电子传导、光学、机械特性，被视为有潜力取代传统硅材元件，而「MoS2（二硫化钼）」是最热门的半导体二维材料之一，但单层的MoS2厚度，比人类DNA链的直径更小，其缺陷也成为应用于电子或光电元件上最大的瓶颈。

将二维材料浸于有机超强酸中，可让单层薄膜达到「零缺陷」，若将MoS2浸在「亚胺」的有机超强酸中，可提高二维材料的量子效率，从不到1%增至近100%，未来可应用在开发透明的LED显示器、超高效太阳能电池、高灵敏度的光侦测器、与低功耗的奈米级电晶体，让MoS2有机会取代硅材元件，为电晶体带来革命性改变。

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