台积电前技术长胡正明获选美发明家学会院士

   
2015-12-26

 

台积电前技术长胡正明获选美发明家学会院士 | 文章内置图片

(图/取自网路)

 

 

华社旧金山22日电美国白宫公佈了2015年度美国最高科技奖项获得者名单,包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。美籍华人科学家胡正明是国家技术和创新奖获得者之一。而美国加州大学柏克莱分校在23日宣布,机工程与电脑科学研究所台裔教授胡正明曾担任台积电技术长,因半导体领域的特殊专长与贡献,获选为全美发明家学会院士。胡正明贡献发明体积更小更可靠又高性能的积体电路,他的重要发明包括鳍式场效电晶体(FinFET),对半导体产业的影响深远。



胡正明是加利福尼亚大学伯克利分校电气工程和电脑科学教授,1997年当选美国国家工程院院士,本月早些时候当选美国国家发明家科学院院士。1947年在北京出生,先后在中国台湾和美国的高校就读,是微电子微型化和可靠性领域的主要开拓者。

 

 

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此外,胡正明研发的BSIM系列微晶体管模型,已成为国际标准,广为全世界IC公司採用,已经成为当今全球模拟微型电路的标准模型,随后创造数十亿美元微晶片的商业价值。与胡正明同时入选院士的另两位柏克莱分校教授,分别是莱恩(Jasper Rine)与莱特(Paul Wright),他们是分子细胞生物与机械工程的专家。

 

现担任为中央研究院院士胡正明,11月以「科技前瞻发展、电机工程教育的趋势、愿景与策略」为题发表演讲,当着科技部长徐爵民的面唿吁,资源分配时应重视可以解决人类问题的Tech(科技),「不要把Tech当成老二,把很多东西都做成Science(科学)」。点出电机产业的未来发展方向,电机和本土经济息息相关,电子、资讯产业是台湾最大的出口产业,政府应好好把握,「不要把好的东西放掉。」

 

 

 

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