记忆体微缩 14 奈米成为新宠

图 / 取自网路

记忆体晶片的微缩制程面临极限，BusinessKorea 报导，预料 3D 垂直堆叠技术将成兵家必争之地，三星电子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）等纷纷投入研发。

BusinessKorea 16 日报导，三星电子最近完成 14.3 吋奈米 NAND flash 的研发，将微缩制程目标改为 14.2 吋。2000 年中期以来，NAND flash 制程从 40 奈米一路降至 16 奈米，业界专家认为 14 奈米将是微缩制程极限，因为 10 奈米 NAND flash 技术上虽然可行，可是所需的设备投资过高，就算生产也难以获利。

微缩制程遭遇瓶颈，业者因此另闢蹊径，改採 3D 垂直架构。报导称，其中三星电子技术最为先进，今年 5 月推出业界首见 V-NAND 技术堆叠 32 层，高于前代的 24 层。部分专家预估，三星可能已经完成 48 层堆叠的原型技术。

东芝也增加 3D NAND 投资，计画不久后开始生产 40-70 层的 V NAND 晶片。SK 海力士也将在今年量产 3D NAND。业界人士估计，NAND flash 堆叠层可在几年内冲上 100 层。

全球第 2 大 NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）厂商东芝 9 月 9 日为旗下 NAND Flash 生产据点「四日市工厂」第 5 厂房（Fab 5）的扩建工程（第 2 期工程）举行完工仪式，此次完工的新厂房已自 9 月开始量产採用最先端 15nm 制程技术的 NAND Flash 产品，并预计自 9 月底开始进行出货；东芝已于今年 4 月小量生产 15nm NAND Flash，故上述新厂房加入生产行列后，也宣告东芝将正式大规模量产（开始增产）15nm 产品。

三星电子（Samsung Electronics Co.）5 月 9 日宣布，中国西安记忆体晶片制造厂正式启用、旗下先进 NAND 型快闪记忆体「3D V-NAND」将在该厂投产。三星并且表示，西安封装测试厂预计在今年底以前也将会完工。3D V-NAND 将应用于固态硬碟（SSD）等消费、企业应用产品。

美国三星记忆体部门行销副总 Jim Elliott 去年 10 月透过官网部落格发表专文指出，根据 IHS iSuppli 的预估，2017 年 3D NAND 技术将佔整体快闪记忆体出货量的 65.7%。IHS 并且预估，全球 NAND flash 记忆体市场规模将自 2013 年的 236 亿美元扩增至 2016 年底的 308 亿美元、平均复合年增率达 11%。

传统 NAND 把电晶体依照 X、Y 轴水平排放，但是缩小电晶体体积有其极限，3D NAND 或 V-NAND 加入 Z 轴，可以垂直排放，意味业者不只能在平面放置电晶体，还可以层层堆叠，有助降低生产成本。

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